Discussione:MOSFET

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Salve a tutti, volevo solo far notare che la pagina, relativa ad un componente così importante per l'elettronica moderna, è scritta in modo poco lineare e con non poche inesattezze ( per alcune mi son già preso la briga di correggerle perchè troppo eclatanti). Vorrei provare a rielaborare meglio alcuni concetti e magari introdurre qualche modello matematico. Fatemi sapere...

Stefano C.

Mi sembra un intento lodevole, in effetti ci sono molte pagine traballanti nel campo dell'elettronica,e questa è una delle più importanti. Terrò d'occhio la pagina, buon lavoro! --∃!Casamich 14:05, 31 ott 2007 (CET)[rispondi]

Zone di lavoro del MOSFET ed amplificazione[modifica wikitesto]

In zona di saturazione, il MOSFET può essere usato come amplificatore di transconduttanza e di tensione oltre che come interruttore, contrariamente a quanto scritto nelle prime righe della sezione "Zone di Lavoro del MOSFET". Sempre queste prime righe contraddicono anche ciò che è scritto al punto 3 a proposito della Saturazione. Chiedo riscontro. - kloud ジュゼッペ 18:12, 3 nov 2007 (CET)


Si, come già detto l'articolo è scritto male e ci sono diverse contraddizioni.. --Steno 20:56, 3 nov 2007 (CET)[rispondi]


scusatemi io leggo: "Quando si applica una tensione tra i terminali di gate e source, il campo elettrico che si genera crea quello che si chiama "canale" nel substrato sottostante. " io sapevo che il canale si crea soltanto quando la tensione tra gate e source supera la tensione di soglia... davide

Regione di triodo[modifica wikitesto]

Salve ragazzi, ma la regione di Triodo non sarebbe quella "non lineare"? L'articolo dice il contrario del mio libro di Elettronica Digitale :D La prima parte della regione di triodo è lineare, ed è detta regione ohmica, ma non tutta! --Dexterp37 Contattami

Hai ragione: si vede anche dall'equazione che descrive la regione, che può essere considerata lineare solo per vds talmente piccole da poter trascurare il termine (vds)^2, propongo quindi di modificare la parte in questione--kloud ジュゼッペ 14:58, 23 feb 2008 (CET)

Modulazione della larghezza di canale[modifica wikitesto]

Manca la descrizione di cos'è la modulazione della larghezza di canale.--4nT0 (msg) 10:48, 3 ago 2008 (CEST)[rispondi]

Discrepanza fra Vth e Vtn[modifica wikitesto]

Salve, mi sto approcciando all'elettronica digitale ed in particolare al mosfet. Ho capito molto visionando questo articolo, tuttavia c'è un particolare che non è spiegato: Vtn è indicata come tensione di soglia e fin qui tutto bene; ma nell'articolo viene anche utilizzata Vth, della quale non vi è spiegazione di cosa sia. Ora il mio dubbio è questo: E' un comune errore di battitura, essendo la lettera h vicina alla lettera n sulla tastiera, o sono proprio due tensioni differenti e che hanno funzioni diverse? Saluti, Alessandro.

Vtn e Vth sono la stessa cosa: th sta per threshold, threshold voltage ovvero tensione di soglia.

RISPOSTA: In generale Vth è la tensione di soglia, che si declina in Vtn per n-mos e Vtp per p-mos. --137.204.144.229 (msg) 10:14, 23 lug 2012 (CEST)[rispondi]

tensione tra source e bulk[modifica wikitesto]

L'effetto body descrive la dipendenza della tensione di soglia dalla tensione tra source e bulk

cos'è bulk? mi sono perso qualcosa?

Per Bulk si intende il layer di silicio sul quale e' costruito il MOSFET. Nei circuiti CMOS il bulk degli NMOS e' connesso al potenziale piu' basso, mentre il bulk dei PMOS (costituito da una NWELL, ovvero da un'area circoscritta dopata n) e' connesso al potenziale piu' alto. Nei circuiti analogici e' frequente la configurazione nel quale source e bulk sono connessi, come avviene ad esempio in una coppia differenziale.

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